Fragen zu Zerhackerschatung

[Dirk508]

Ich dachte das thema brückengleichrichter wäre ausdiskutiert?
ein darlington als schalttransistor ist nicht die beste wahl macht dann nur 10v ausgangsspannung und jede menge wärme.
als zusatzheizung aber nicht zu verachten.

Gruß Dirk

[Martin_nbg]

Ich dachte das thema brückengleichrichter wäre ausdiskutiert?
ein darlington als schalttransistor ist nicht die beste wahl macht dann nur 10v ausgangsspannung und jede menge wärme.
als zusatzheizung aber nicht zu verachten.

Gruß Dirk

fällt dir ein alternativ PNP ein der sich in die bestehende Schaltung ohne größere Änderungen einbauen lässt?

naja häte ich die mittelanzapfung nicht mit einer der beiden äußeren windungen vertauscht wäre nichts pasiert ^^

[Andy]

Hallo,
wenn das die Gegentaktansteuerung mit den zwei Darlingtontransistoren ist, würde ich die durch Power-MOSFETs ersetzen. Es sind übrigens NPN-Transistoren, soweit ich das sehe, also braucht man stattdessen auch N-Kanal MOSFETs. Der BUZ11 oder so könnte schon passen. Die Gatespannungen sollten beim Einschalten zwischen 5 und 15V liegen, bei 12V kann man die Transistoren 1:1 ersetzen Collector wird Drain, Basis wird Gate und Emitter wird Source. Vorteil von MOSFETs: sie schalten viel schneller und haben einen erheblich kleineren Widerstand, wenn sie durchschalten, also deutlich kleinere Schaltverluste. Nicht ohne Grund verwendet man die vor allem in Schaltnetzteilen. Z-Dioden parallel zu den MOSFETs zwischen Drain und Source in Sperrrichtung, Spannung mindestens doppelt so groß wie die Versorgungsspannung an der Mittelanzapfung des Trafos, verhindern zu hohe Spannungsspitzen, bei 12V würde ich 33V Zehnerdioden nehmen. Im Normalfall entstehen Rechteckspannungen zwischen Null und der doppelten Betriebsspannung an den Collector- bzw. Drainanschlüssen der Transistoren/MOSFETs. Die Spannungsfestigkeit der MOSFETs muß entsprechend hoch sein (+ ausreichend Reserve), evtl. sind andere Typen als der BUZ11 nötig (könnte aber eichen, mindestens 50V hält der wohl schon aus). Bei Reichelt oder so kann man gucken, was für Power-MOSFETs die haben, Datenblätter gibt es bei den jeweiligen Herstellern zum Download.

Gruß
Andy

[Martin_nbg]

nein es sind PNP steht auf der Seite woher die Zeichnung ist das er versehentlich NPN eingezeichnet hat und man PNP verwenden muss und dann emitter und collector vertauschen muss

ich werde mein glück mal mit diesem hier probieren

MOSFET, P-Kanal ON Semiconductor MTD 2955 VT4 N-Kanal Gehäuseart DPAK I(D) 12 A U(DS) 60 V

[Christoph]

Der Siebkondensator wird sehr wohl mit Wechelspannung, bzw. besser Wechselstrom belastet! Wenn nach dem Brücken- oder Zweiweggleichrichter schon Gleichspannung rauskommen würde, bräuchte man den Elko ja nichtmehr.
Außerdem verdoppelt sich die Frequenz bei Brücken- oder Zweiweggleichrichtung.

[Dirk508]

nein es sind PNP steht auf der Seite woher die Zeichnung ist das er versehentlich NPN eingezeichnet hat und man PNP verwenden muss und dann emitter und collector vertauschen muss

Na toll, schaltendstufe als emitterfolger. das kann nicht funktionieren. wenn ein transi durchschaltet, begrenzt der andere den spannungsanstieg.
was fürn hirni denkt sich bloß so was aus?

Gruß Dirk

[Andy]

Hallo,
mit NPN-Transistoren wie eingezeichnet würde die Schaltung auch funktionieren, wahrscheinlich sogar besser. Mit PNP-Transistoren hat man zwei Emitterfolger mit relativ großen Restspannungen und entsprechend mehr Verlustleistung. Mit P-Kanal MOSFETs funktioniert es übrigens nicht! Als Sourcefolger hat man die Gate-Sourcespannung als Restspannung, die ist ziemlich hoch, je nach Typ ca. 2-5V. Es funktioniert nur die Variante mit N-Kanal MOSFETs. Als Trafo würde ich einen mit 2*12V Sekundär nehmen oder bei 2*10V auch nur 10V als Betriebsspannung. Die Schaltung müßte mit N-Kanal MOSFETs ohne sonstige Schaltungsänderung funktionieren, die Gatewiderstände würde ich 1k groß machen. Bei erster Inbetriebnahme würde ich das Teil ohne Last mit einem Labornetzteil versorgen und dessen Spannung beginnend mit ca. 3V langsam hochregeln (damit der Oszillator schon schwingt).

Gruß
Andy

[Martin_nbg]

werde diese Schaltung morgen mal aufbauen MOSFET (HEXFET/FETKY) http://electronic-labs.de/images/projek ... ichter.jpg ... Brauch ich nun speziele Kondensatoren ? oder ist es nur bei den alten Elektrolytkondensatoren problematisch?

Der Trafo sollte der originale bleiben. ansonsten könnt ich den Verstärker ja komplett neu aufbauen was ich eig. nicht möchte ... die el41 braucht so um die 41mA ... die Vorstufe die ich nachrüste braucht ca. 10mA (ec92) also ist die Belastung für den Trafo noch im Rahmen ...

250volt ca. 115watt


oben auf dem Trafo die beiden gleichrichterdioden ... morgen bekomme ich einen neuen CD4047 da der alte samt des bdx54 ab geraucht ist

[Dirk508]

Die Verluste hat man vor allem beim Schalten, weniger im eingeschalteten Zustand. Also sind steile Schaltflanken eine wichtige Bedingung für einen hohen Wirkungsgrad.

Kommt auf die Frequenz an.
Bei 100 Hz z.B. leitet der Transi 5 ms. Wenn jetzt die Schaltzeit z.B. 10 µs ist, beträgt der Zeitanteil der Schaltverluste 0,2%.
Kannst also vergessen.

Gruß Dirk

@Martin_nbg :
Wo gräbst du bloß die ganzen schwachsinnigen Schaltungen aus.
Ein 7812 mit einer Eingangsspannung von 12V, was soll da rauskommen?
Mal sehn, wie lange es dauert, bis der verpolte Elko hochgeht.
Der 4047 soll die Monstertransis direkt ansteuern?

Und wie kommst auf 115 W Leistungsbedarf?

[Martin_nbg]

ups meinte 12.75 Watt ... irgendwie war der rechenweg gestern falsch

Dirk508: wie würdest du die zerhackter Schaltung realisieren?

[Dirk508]

Ich würde ein SG 3525-Konzept wählen.

Gruß Dirk

[Andy]

Hallo,
die MOSFETs kann das CMOS-IC 4047 sicher problemlos ansteiern. Lediglich die Umschaltzeit könnte geringfügig höher sein, da der Treiberstrom zum Umladen der Gates relativ gering ist. Trotzdem dürfte die Schaltzeit eher in der Größenordnung von 1µs sein und fällt bei der niedrigen Schaltfrequenz nicht ins Gewicht. Für Darlingtons könnte der Basisstrom auch noch gerade eben reichen, Schaltzeiten und Durchlaßwiderstand sind aber erheblich schlechter. Und richtig, mit PNP Emitterfolgern oder P-Kanal Sourcefolgern kann die Schaltung nicht funktionieren, da die Spannung am jeweils gesperrten Transistor doppelt so hoch wie die Betriebsspannung werden muß, was die Emitterfolger bzw. Sourcefolger verhindern würden.

Gruß
Andy

[Dirk508]

Andy, der IRFP064 hat eine Gate Charge von 120 nC. Wenn der CMOS 5 mA schalten könnte, würde die Umladung 24 µs dauern.
Wäre noch nicht tragisch, aber weil mit dem 4047 keine Dead-Time realisierbar ist, sind in der Umschaltphase zeitweise beide Transis gleichzeitig leitend. Macht dann ordentliche Stromimpulse auf der Versorgungsspannung.
Warum also so ein Konzept weiterverfolgen, wenn für kleines Geld ein dafür * SPAM-Verdacht! Werbung nicht erlaubt* IC verfügbar ist?

Gruß Dirk

[Andy]

Hallo,
der IRFP064 ist evtl. aber auch leicht überdimensioniert, der ist immerhin für 70A ausgelegt... etwas "kleinere" MOSFETs für ca. 10-20A brauchen auch weniger Gateladung. Oder werden wesentlich mehr als ca. 50-100W Leistung gebraucht? Spezielle MOSFET-Treiber (für H-Brücken, Schrittmotoren usw.) haben meistens keinen Oszillator und vor allem keinen Teiler, der am Ausgang genau 50% Tastverhältnis liefert, das würde man dann extra brauchen.

Gruß
Andy

[Dirk508]

Wie schon geschrieben, der SG3525 hat alles drin, was man dazu braucht.
Und das für weniger als nen Euro.

Gruß Dirk